Aller au menu Aller au contenu
Evénements de l'IMEP-LAHC
Microélectronique, électromagnétisme, photonique, hyperfréquences
Evénements de l'IMEP-LAHC
Evénements de l'IMEP-LAHC

> Evénements

Soutenance de Florian DOMENGIE

Mis à jour le 7 juin 2011
A+Augmenter la taille du texteA-Réduire la taille du texteImprimer le documentEnvoyer cette page par mail Partagez cet article Facebook Twitter Linked In Google+ Viadeo
Auteur(s) : Thése préparée dans les  laboratoires  IMEP-LAHC et STMicroelectronics (Crolles), sous la direction conjointe de  M. Daniel BAUZA, M. Pierre MORIN et  M. Jorge Luis REGOLINI
Références : MARDI 15 FEVRIER 2011 à 10h:30 AMPHITHEATRE M 001, PHELMA Minatec 3 Parvis Louis Neel Grenoble
Sources : Etude des défauts électriquement actifs dans les matériaux des capteurs d’image CMOS
Date de parution : 8 février 2011
DOMENGIE Florian

DOMENGIE Florian

Informations complémentaires

RESUME:
La taille des pixels des capteurs d'image CMOS approche aujourd'hui le micron. Dans ce contexte, le courant d'obscurité reste un paramètre critique. Il se superpose au courant photogénéré en affectant la qualité de l'image par l'apparition de pixels blancs. La contamination métallique introduite au cours du procédé de fabrication, joue un rôle prépondérant dans la création des défauts à l'origine de ce courant d'obscurité. Cette étude a permis d'établir les seuils de dangerosité de différents éléments métalliques sur la technologie imageur. L'origine de contaminations accidentelles a été identifiée lors de crises de rendement. Pour cela, un travail sur les techniques de détection a été mené par µPCD, DLTS, pompage de charge, SIMS, TEM et photoluminescence. La spectroscopie de courant d'obscurité (DCS), particulièrement efficace dans ce contexte, a été développée pour l'identification de contaminations en or, tungstène et molybdène, avec des limites de détection qui atteignent 108 à 1010 at/cm3. Nous observons la quantification du courant d'obscurité et étudions l'amplification du champ électrique sur le taux de génération afin de modéliser les pics de courant d'obscurité obtenus. Le comportement de certains métaux dans le silicium est précisé par ces expériences, et nous évaluons l'efficacité de piégeage de plusieurs substrats imageur. Ce travail conduit à la mise en place de protocoles de contrôle de la contamination métallique en salle blanche.

A+Augmenter la taille du texteA-Réduire la taille du texteImprimer le documentEnvoyer cette page par mail Partagez cet article Facebook Twitter Linked In Google+ Viadeo

mise à jour le 7 juin 2011

anglais
IMEP-LAHC
Site de Grenoble
Grenoble INP - Minatec : 3, Parvis Louis Néel - CS 50257 - 38016 Grenoble Cedex 1

Site de Chambéry
Université de Savoie - F73376 Le Bourget du Lac Cedex
 


  CNRS  http://www.cnrs.fr      Site Grenoble-INP http://www.grenoble-inp.fr       Université Grenoble Alpes (UGA)      Université Savoie Mont Blanc
Univ. Grenoble Alpes