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Soutenance de Mr Cheikh DIOUF

Publié le 17 octobre 2013
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Soutenance 31 octobre 2013
Soutenance de Mr  Cheikh DIOUF pour une thèse de DOCTORAT de l'Université de Grenoble spécialité : Nanoélectronique et Nanotechnologies (NENT)  intitulée :
Amphithéatre M001 Phelma/ MINATEC
3 rue Parvis Louis Néel - GRENOBLE

Caractérisation électrique des transistors MOS déca-nanométriques d’architecture innovante

Mr Cheikh DIOUF

Mr Cheikh DIOUF

Jeudi 31 octobre 2013  à 10h30

Résumé de Thèse:
La taille du transistor MOS ne cesse de diminuer pour des questions de performance et de rentabilité de fabrication. L'architecture se complexifie et les méthodologies d'extraction de paramètres doivent être adaptées. 
C'est ainsi que dans un premier temps, cette thèse traite des problématiques liées aux procédés de fabrication du transistor MOS (metal oxide semiconductor) très avancés et de son architecture. Les effets d'un recuit haute pression sous atmosphère hydrogène (HPH2) ou deutérium (HPD2) sont étudiés en détail. Il est aussi question de l'étude des effets d'un canal silicium-germanium et de l'impact d'un oxyde de haute permittivité. Dans les deux cas, l'impact sur les performances du MOS a été élucidé.  Dans un deuxième temps, une méthodologie d'extraction de paramètres électriques appelée la « fonction Y » a été étendue en régime de saturation afin de pouvoir caractériser des MOS avancés dans leur régime d'opération. En outre, La mesure de la charge d'inversion sur des MOS courts et à forte tension de drain a été rendue possible grâce à des mesures en haute fréquence sur une structures deux ports. Cela contribue ainsi à répondre aux besoins actuels en caractérisation électrique du transistor.

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Partenaires

Thèse préparée dans le laboratoire IMEP-LAHC (Grenoble)  sous la direction  de M. Gérard GHIBAUDO

mise à jour le 28 octobre 2013

Contact

M. Gérard GHIBAUDO
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Documents à télécharger

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