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Soutenance de thèse de Anouar IDRISSI EL OUDRHIRI

Publié le 7 juillet 2016
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Soutenance 20 juillet 2016 | Plan d'accès
Soutenance de Anouar IDRISSI EL OUDRHIRI, pour une thèse de DOCTORAT de l'Université  Grenoble Alpes, Spécialité "Nano Electronique et Nano Technologies ", intitulée:
Amphi M001 PHELMA /MINATEC 
3 rue Parvis Louis Néel
38000 Grenoble


«Compréhension de l'apport des contraintes mécaniques sur les performances électriques des transistors avancés sur SOI »

Anouar IDRISSI EL OUDRHIRI

Anouar IDRISSI EL OUDRHIRI

Mercredi 20 Juillet  2016 à 14h

Résumé de thèse :
L’évolution des performances des dispositifs microélectroniques se heurte aux limites de la miniaturisation. Les contraintes mécaniques constituent un levier potentiel pour dépasser ces limitations. Il est cependant indispensable de bien maitriser leur génération et de connaitre leur influence sur le transport dans le canal. L’objectif de cette thèse vise à étudier l’évolution de la contrainte mécanique en technologie CMOS et son influence sur le transport électronique dans des technologies sub-20nm réalistes. Ce travail s’appuie sur des simulations mécaniques bidimensionnelles. Différentes architectures TriGate et FDSOI sont alors étudiées. Les contraintes obtenues sont comparées à des mesures issues de la diffraction électronique. Plusieurs méthodes de caractérisation électrique et d’extraction de paramètres de transistor MOS sont utilisées. Parmi elles figure notamment la technique de l’extraction de la mobilité par magnétorésistance. Nous analysons les variations de mobilité en fonction des dimensions et de leur impact sur la contrainte mécanique. Enfin nous utilisons la simulation TCAD pour explorer le potentiel de nouvelles briques technologiques innovantes en voie de développement pour des générations ultérieures. Parmi elles, citons l’intégration des zones fortement contraintes par des source-drains en SiGe à fort pourcentage en germanium ou l’impact des relaxations introduites par l’utilisation des grilles sacrificielles au cours de la fabrication. Dans cette perspective, des simulations électriques basées sur une approche piézo-résistive deviennent indispensables. 

Mots Clés :
CMOS avancés, contraintes mécaniques, simulation, transport canal, modélisation, caractérisation électrique
.
      

Membres du jury :
  •  M. Francis CALMON,  Pr. INSA Lyon : Président
  • M. Arnaud BOURNEL,  Pr. Université Paris-Sud: Rapporteur
  • M. Marc BESCOND, CR. CNRS à l’IM2NP Marseille: Rapporteur
  • M. Hervé JAOUEN, Ing. STMicroelectronics Crolles : Examinateur
  • M. Sébastien MARTINIE, Ing. CEA-LETI Grenoble : Co-encadrant de thèse
  • Mme. Mireille MOUIS, DR. CNRS à l’IMEP-LaHC Grenoble :Directrice de thèse

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Thèse  préparée au sein du Laboratoire CEA-LETI et IMEP-LaHC, dirigée par Mireille MOUIS et co-encadrée par Sébastien MARTINIE.



mise à jour le 7 juillet 2016

anglais
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