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Evénements de l'IMEP-LAHC
Microélectronique, électromagnétisme, photonique, hyperfréquences
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Soutenance de thèse de BOSSUET Alice

Publié le 8 mars 2017
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Soutenance 20 mars 2017 | Plan d'accès
Soutenance de thèse de BOSSUET Alice,  pour une thèse de DOCTORAT de l' Université de  Grenoble Alpes , spécialité  "NANO Electronique & Nano Technologies ", intitulée:
Amphi M001 Phelma/Minatec
3 rue parvis Louis Néel
38016 Grenoble cedex1

«Intégration sur silicium de solutions complètes de caractérisation en puissance de transistor HBT en technologie BiCMOS 55 nm à des fréquences au-delà de 130 GHz»

BOSSUET Alice

BOSSUET Alice

Lundi 20 Mars  2017 à 14h30

Résumé:
 L’évolution des technologies silicium rend aujourd’hui possible le développement de nombreuses applications dans les domaines millimétriques et submillimétriques tels que les systèmes d’imagerie pour la santé et la sécurité, ainsi que les systèmes de communication à très haut débit. Cette évolution se caractérise entre autre par une croissance des performances en fréquence des transistors disponibles dans ces technologies et nécessite la mise en place d’outils de mesure performants pour valider la modélisation et l’optimisation technologique de ces dispositifs.
La caractérisation load-pull est une méthode incontournable pour modéliser le comportement en fort signal des transistors. En bande G [140-220 GHz], l’environnement de mesure classiquement disponible n’a plus les performances requises pour ce type de caractérisation compte tenu des pertes dans les accès au dispositif sous test.
Ce travail de thèse a pour objectif de lever ce verrou en proposant de réaliser, en technologie BiCMOS 55 nm de STMicroelectronics, un banc load-pull entièrement intégré sur silicium afin d’être au plus près du dispositif à caractériser. Le mémoire est articulé autour de quatre chapitres.
  • Le premier chapitre présente l’état de l’art de l’instrumentation actuellement disponible pour la caractérisation en puissance aux fréquences millimétriques et leurs limitations.
  • Le second chapitre détaille la conception et la caractérisation des blocs constituant le banc intégré : le synthétiseur d’impédances et la source MMW de puissance.
  • Le troisième chapitre décrit la réalisation et les performances du détecteur de puissance.
  • Enfin, le quatrième chapitre présente le banc complet et son application à la caractérisation en bande G d’un dispositif bipolaire disponible dans la technologie BiCMOS 55 nm.
La conclusion vient ensuite résumer ce travail de doctorat et proposer des perspectives à ces travaux de recherche.

Membres du jury :
- Christophe GAQUIERE, Professeur Université Lille1: Directeur
- Estelle LAUGA-LARROZE, Maître de conférence IMEP-LaHC : Co-encadrant
- Jean-Michel FOURNIER, Professeur IMEP-LaHC:
Co-encadrant
- Patrice GAMAND, Resp DAS Electronique Hyperfréquence-Pole RLH: Rapporteur

- Thierrry TARIS, Professeur-IMS : Rapporteur
- Mathieu LE PIPEC, Ingénieur DGA: Membre
- Thomas QUEMERAIS, Ingénieur ST Microelectronics: Invité
- Stéphane ROCHETTE, Resp fiabilité Thales Alenia Space: Invité
- Daniel GLORIA,
Ingénieur ST Microelectronics: Invité

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Partenaires

Thèse préparée à ST Microelectronics dans le cadre d'un contrat CIFRE  sous la direction de Christophe GAQUIERE (IEMN Lille), co-encadrés par Estelle LAUGA LARROZE et Jean-Michel FOURNIER (IMEP-LaHC) .

mise à jour le 18 septembre 2017

anglais
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