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Microélectronique, électromagnétisme, photonique, hyperfréquences
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Soutenance de thèse de Kyunghwa LEE

Publié le 4 juillet 2019
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Soutenance 10 juillet 2019 | Plan d'accès
Soutenance de thèse de  Kyunghwa LEE  pour une thèse de DOCTORAT de l' Université de Grenoble Alpes , spécialité NANO ELECTRONIQUE & NANO TECHNOLOGIES , intitulée:
Amphi M001/ PHELMA
3 Parvis Louis Néel
38016, Grenoble

" Etude des dispositifs à dopage électrostatique et des applications dans les technologies FD-SOI "

Kyunghwa LEE

Kyunghwa LEE

Mercredi 10 Juillet 2019  à 10h
Résumé:
La récente technologie Fully Depleted SOI (FD-SOI) est une excellente alternative à la technologie conventionnelle CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductorqui a mené le développement incessont des circuits intégrés. FDSOI offre une faible consommation d'énergie et un contrôle électrostatique amélioré pour les transistors MOS, même dans les noeuds très avancés (14 et 28 nm). En raison de leurs dimensions nanométriques, aussi bien en épaisseur qu’en longueur, les transistors FD-SOI présentent des mécanismes de fonctionnement et des caractéristiques très spécifiques. L’état de l’art du FD-SOI est décrit en insistant sur les atouts des composants, les effets physiques particuliers et les techniques de caractérisations dédiées. La diode Hocus-Pocus (HP) est un exemple de dispositif innovant rendu possible par la flexibilité sans égal de la technologie FD-SOI. En modifiant le type de dopage électrostatique, N ou P, un dispositif peut être reconfiguré en diode P-N virtuelle, diode Esaki virtuelle, diode semivirtuelle, diode P-I-N, TFET ou FET à modulation de bande. Chaque configuration fonctionne comme un dispositif physiquement dopé. Les aspects inédits découlent d'un changement dynamique de la concentration des porteurs.
Des applications originales telles que l'extraction de la durée de vie des porteurs et la diode virtuelle Esaki sont explorées. Le Z2-FET (Zero subthreshold slope and Zero impact ionization) est un dispositif particulièrement prometteur en raison de ses caractéristiques attrayantes (commutation abrupte, faible courant de fuite, tension de déclenchement réglable et rapport de courant élevé ION/IOFF). Dans ce travail, nous nous concentrons sur une mémoire dynamique sans capacité (1T-DRAM) et un interrupteur logique rapide.
Les mécanismes de fonctionnement en courant continu et transitoire ainsi que les performances du dispositif sont étudiés en détail à l'aide de simulations TCAD et validés à l'aide de résultats expérimentaux systématiques.

Membres du jury :
  • Olivier BONNAUD - Rapporteur
  • Ray HUETING - Rapporteur
  • Gérard GHIBAUDO - Examinateur
  • Carlos SAMPEDRO - Examinateur

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Partenaires

Thèse préparée dans le laboratoire : UMR 5130 - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique -Laboratoire d'hyperfréquences et de caractérisation ,sous la direction de Maryline BAWEDIN, directeur de thèse et Sorin CRISTOLOVEANU Codirecteur.
 

mise à jour le 4 juillet 2019

Univ. Grenoble Alpes