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Soutenance de thèse de Mr Laurent NEGRE

Publié le 12 décembre 2011
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Soutenance 14 décembre 2011 | Plan d'accès
Soutenance de M.Laurent NEGRE pour une thèse de DOCTORAT de l'Université de Grenoble, spécialité Nano Electronique Nano Technologies (NENT) intitulée :

Caractérisation et modélisation de la fiabilité des transistors MOS en Radio Fréquence.

Laurent NEGRE

Laurent NEGRE

Mercredi   14 Décembre  2011  à 10h30

Résumé de Thèse:
Les produits issus des technologies Silicium tendent à exploiter au maximum les performances des transistors MOS tout en les soumettant à des profils de mission très agressifs du point de vue de la fiabilité. Les concepteurs sont ainsi à la recherche du meilleur compromis entre performance et fiabilité.
Historiquement, l'étude de la fiabilité du transistor MOS et le développement des modèles sous jacents ont été menés sur la base de contrainte de vieillissement statique. Avec le développement des produits à hautes performances dans le domaine de la radiofréquence (RF), la question de la fiabilité pour ce type d'application se
pose. Ainsi, une extension des modèles de fiabilité doit être réalisée afin de quantifier le vieillissement des paramètres clés RF soumis à des contraintes statiques mais également RF. C'est cette extension de la fiabilité des transistors MOS dans le domaine RF qui constitue le sujet de ce travail de thèse.

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Partenaires

Thèse préparée en collaboration avec la société STMicroelectronics et le laboratoire IMEP-LAHC, sous la direction conjointe de M.Gérard Ghibaudo (IMEP-LAHC) et David ROY (STMicroelectronics)

mise à jour le 16 février 2015

Contact

Mr Gérard Ghibaudo
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Documents à télécharger

Univ. Grenoble Alpes