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Evénements de l'IMEP-LAHC
Microélectronique, électromagnétisme, photonique, hyperfréquences
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Soutenance de thèse de PARK Hyungjin

Publié le 4 juillet 2019
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Soutenance 10 juillet 2019 | Plan d'accès
Soutenance de thèse de  PARK  Hyungjin  pour une thèse de DOCTORAT de l' Université de Grenoble Alpes , spécialité NANO ELECTRONIQUE & NANO TECHNOLOGIES , intitulée:
Amphi M001/ PHELMA
3 Parvis Louis Néel
38016, Grenoble

« Dispositifs innovants de la technologie FD-SOI »

PARK Hyungjin

PARK Hyungjin

Mercredi 10 Juillet 2019  à 14h
Résumé:
L'objectif principal de ce travail de doctorat est d'étudier les principes fondamentaux des effets de corps flottants (FBE) dans les dispositifs FDSOI ultraminces de dernières générations. Plusieurs FBE, (i) kink, (ii) FBE induit par la grille, (iii) transistor bipolaire parasite, (iv) commutation brusque, (v) hystérésis de courant, et (vi) effet transitoire (MSD), sont examinés en termes d’interaction entre des trous et des électrons dans le corps ultramince. La clé de voûte est que les FBE proviennent de l'interaction des trous en excès qui sont stockés ou éliminés. Pour une meilleure compréhension des FBE, la variation du potentiel interne Vb a été mesurée directement sur les n-MOSFET a contact en H. La variation dynamique de Vb a également été étudiée grâce aux contacts latéraux P+ prolongés dans le silicium non dopé situé sous la grille avant. Grâce à la mesure de Vb, trois résultats principaux ont été mis en évidence pour la première fois: (i) la corrélation entre l’apparition des FBE et la variation de Vb, (ii) de nouvelles preuves expérimentales de l’effet de super-couplage observé alors que le potentiel de surface voire entre déplétion et inversion, (iii) une nouvelle méthode d'extraction de la tension de seuil, comparée à la méthode typique basée sur la caractéristique courant-tension. Enfin, des dispositifs FDSOI innovants, comme le MOSFET latéral N+NN+ sur InGaAs à grille arrière, et le Z2-FET en tant que magnétodiode et capteur optique, sont caractérisés. Nous démontrons les performances de base du substrat InGaAs sur isolant en utilisant la technique du pseudo-MOSFET. Les caractéristiques de détection du Z2-FET sont vérifiées sous champ magnétique et sous éclairage.

Membres du jury :
  • CARLOS SAMPEDRO - Rapporteur
  • BOGDAN CRETU - Rapporteur
  • OLIVIER BONNAUD - Examinateur
  • GERARD GHIBAUDO - Examinateur

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Partenaires

Thèse préparée dans le laboratoire : UMR 5130 - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique -Laboratoire d'hyperfréquences et de caractérisation ,sous la direction de Jean-Pierre COLINGE, directeur de thèse et Sorin CRISTOLOVEANU Codirecteur.

mise à jour le 21 août 2019

Univ. Grenoble Alpes