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Microélectronique, électromagnétisme, photonique, hyperfréquences
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Dispositifs intégrés

Nos recherches s'inscrivent dans un contexte de montée en fréquences et en débits, de recherche de dispositifs à basse consommation et de densification des fonctionnalités.
Elles font face à la problématique de la reconfigurabilité des fonctions électroniques RF.


1- Méthodes de mesure hautes fréquences :
  • Techniques d'étalonnages et d'épluchage pour la caractérisation de dispositifs intégrés
  • Techniques de caractérisation très large bande (du DC à 110 GHz) en 2 et 4 ports
  • Techniques in-situ de caractérisation de couches minces (nm) ou de matériaux massifs (mm)
2- Caractérisation RF et mmW de matériaux pour les circuits intégrés, les capteurs , et l'électronique imprimée :
  • Caractérisation RF et mmW de matériaux diélectriques, magnétiques, piézo-électriques, semi-conducteurs ou conducteurs
  • Caractérisation de substrats et d'encres pour l'électronique imprimée
3- Conception et caractérisation RF et mmW de dispositifs passifs intégrés innovants, guides AF-SIW et interconnexions :
  • Capacités 3D haute densité (TSC, nanofilss)
  • Interconnections à haut débit
  •  Packaging 3D
  • Dispositifs intégrés en technologie AF-SIW pour le spatial

mise à jour le 21 octobre 2019

anglais
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