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Microélectronique, électromagnétisme, photonique, hyperfréquences
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Soutenance de Giulio TORRENTE

Publié le 11 juillet 2017
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Soutenance 11 juillet 2017 | Plan d'accès
Soutenance de thèse de  Giulio TORRENTE, pour une thèse de DOCTORAT de l' Université de  Grenoble Alpes, spécialité  "NANO ELECTRONIQUE & NANO TECHNOLOGIES, intitulée:
Amphi M001 - Bâtiment M-RDC -
Phelma/Minatec
3 rue parvis Louis Néel
38016 Grenoble cedex1
Phelma Minatec (Bâtiment M-RDC, Amphi M001), 3 Parvis Louis Neel Grenoble

«Étude des mécanismes de vieillissement et impact sur les performances dans les mémoires Flash NOR 40nm »

Giulio TORRENTE

Giulio TORRENTE

Mardi 11 Juillet 2017 à 10h30

Résumé:
La technologie Flash représente aujourd’hui la mémoire non-volatile de référence dans plusieurs applications électroniques. Néanmoins, le « scaling » des cellules Flash conventionnelles fait aujourd’hui face à plusieurs limitations et un effort d’optimisation accru est nécessaire pour atteindre de meilleures performances, notamment en terme de fiabilité (rétention de données et tenue en endurance). La rétention de l’information stockée a ainsi fait l’objet de nombreuses études dans la littérature, aboutissant à une bonne compréhension et une modélisation précise des phénomènes de Stress Induced Leakage Current (SILC). En revanche, une description précise et microscopique des mécanismes de dégradation de cellules Flash en cours d’endurance Programmation/Effacement (P/E) reste manquante. Notamment dans le cas des technologies Flash de type NOR, dont la nature 2D des mécanismes de dégradation complexifie l’analyse, la compréhension et la modélisation de la perte de performances en cours d’endurance.
Cette thèse se propose d’investiguer le vieillissement en endurance de la technologie embarquée NOR Flash 40nm produite à STMicroelectronics. Grâce à un ensemble de caractérisations électriques et de simulations TCAD spécifiquement développées, la thèse fourni une compréhension physique des différents mécanismes de vieillissement impliqués durant l’endurance. En particulier, les rôles respectifs des opérations de Programmation (par porteurs chauds) et d’Effacement (par injection Fowler-Nordheim) sont soulignés et leur impact sur les caractéristiques des cellules mémoires établis. Enfin, grâce à la description microscopique et exhaustive précédemment établie, un modèle physique reproduisant la dégradation de la cellule pendant l’endurance est proposé. L’application de ce modèle permet de définir des conditions de programmation optimales conduisant en une amélioration de la durée de vie des cellules NOR Flash considérées.
 
Membres du jury :

- Mireille MOUIS, DR. CNRS Alpes :
Examinateur
- Damien DELERUYELLE, PR. INSA de Lyon :
Rapporteur
- Raphael CLERC, PR. Université de Saint Etienne :
Rapporteur
- Gérard GHIBAUDO, DR. CNRS Alpes :
Directeur de thèse
- David ROY, ING. STMicroelectronics :
Co- directeur de thèse
- Jean COIGNUS, ING. CEA-LETI : 
Co- directeur de thèse

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Partenaires

Thèse préparée dans le laboratoire : UMR 5130 - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'hyperfréquences et de caractérisation ,
sous la direction de Gérard GHIBAUDO, directeur de thèse.

mise à jour le 4 septembre 2017

anglais
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