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Soutenance de thèse de Clément NGUYEN

Publié le 23 avril 2018
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Soutenance 3 mai 2018 | Plan d'accès
Soutenance de thèse de Clément NGUYEN,  pour une thèse de DOCTORAT de l' Université de  Grenoble Alpes , spécialité  "NANO ELECTRONIQUE et NANO TECHNOLOGIES ", intitulée:
Amphi  Z206 (Bâtiment Z 2ème étage) - Phelma/Minatec
3 rue parvis Louis Néel
38016 Grenoble cedex1

« Caractérisation électrique et modélisation de la dynamique de commutation résistive dans des mémoires OxRAM à base de HfO2 »

Jeudi 3 Mai 2018 à 10h30

Résumé:
 Les mémoires résistives à base d’oxyde OxRAM sont une technologie de mémoire non-volatile dite émergente, au même titre que les mémoires à changement de phase (PCRAM) ou les mémoires magnétorésistives (MRAM).
A l’origine les OxRAM étaient très étudiées pour concurrencer les mémoires Flash, dont le fonctionnement est basé sur le stockage de charges dans une grille flottante. Cependant, avec l’avènement des technologies 3D-NAND, il semble très difficile pour les OxRAM d’atteindre les mêmes capacités de stockage que les flashs. Cependant, leur impressionnante vitesse de fonctionnement, bien supérieure à celle des NAND, et leur coût bien inférieur à celui des DRAM, leur permet de se situer à la frontière entre ces deux technologies, dans une catégorie qualifiée de « Storage Class Memory ».
De plus, il s’agit d’une technologie dont l’intégration en Back-End-Of-Line, juste au-dessus des circuits CMOS, est très facile, ce qui la rend très attrayante.
En revanche, les OxRAM sont connues pour présenter une forte variabilité, et cela représente le principal obstacle à leur démocratisation. Au cours de cette thèse, nous avons cherché à étudier en profondeur la dynamique de commutation résistive de mémoires OxRAM à base d’oxyde d’hafnium, avec une volonté de se concentrer sur des temps très courts, puisqu’ils représentent l’un des atouts majeurs de cette technologie. Pour cela, ces travaux de thèse se concentrent tout d’abord sur un aspect expérimental, de caractérisation électrique. Nous avons ainsi pu observer, avec un suivi dynamique, la commutation résistive des mémoires, sur des temps de l’ordre de la dizaine de nanoseconde, pour les opérations d’écriture et d’effacement, via la mise au point d’un banc de test entièrement dédié à cette tâche. Ensuite, nous avons analysé les impacts que la réduction du temps de pulse, ainsi que l’abaissement des courants et tensions mis en jeu, peuvent avoir sur la fiabilité des OxRAM, avec des mesures de variabilité.
La seconde partie de ce travail de thèse est un travail de modélisation, avec la mise au point d’un modèle physique semi-analytique, dans le but de comprendre les
mécanismes de commutation résistives. Après avoir comparé les résultats obtenus par notre modèle aux résultats expérimentaux précédents, nous avons cherché à appliquer notre modèle à des mesures de statistiques. Nous avons ainsi réalisé des tests électriques sur des matrices OxRAM, que nous avons tenté de reproduire avec le modèle.
Enfin, nous avons étudié plus en profondeur le bruit à basse fréquence dans les OxRAM, qui constitue l’un des facteurs majeurs de dégradation de la fiabilité des OxRAM, tout en cherchant des pistes pour le diminuer.
 
Membres du jury :
  • Gérard GHIBAUDO - Directeur de these
  • Jean-Michel PORTAL - Rapporteur
  • Damien DELERUYELLE - Rapporteur
  • Anne KAMINSKY CACHOPO - Examinateur

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Partenaires

Thèse préparée dans le laboratoire : CEA -CEA-LETI, sous la direction de GHIBAUDO Gérard, directeur de thèse.

Rédigé par Brigitte Rasolofoniaina

mise à jour le 23 avril 2018

Contact

M.Gérard GHIBAUDO
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