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Soutenance de thèse de Jean-Baptiste HENRY

Publié le 29 mai 2018
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Soutenance 8 juin 2018 | Plan d'accès
Soutenance de thèse de Jean-Baptiste HENRY,  pour une thèse de DOCTORAT de l' Université de  Grenoble Alpes , spécialité  "NANO ELECTRONIQUE et NANO TECHNOLOGIES ", intitulée:
Amphi  M001- Phelma/Minatec
3 rue parvis Louis Néel
38016 Grenoble cedex1

« Contribution à l'étude expérimentale des résistances d'accès dans les transistors de dimensions deca-nanométrique des technologies CMOS FD -SOI »

Jean- Baptiste HENRY

Jean- Baptiste HENRY

Vendredi 8 Juin 2018 à 10h30

Résumé:
 La réduction des dimensions de transistors à effet de champ MOS a depuis quelques années ralenti à cause de l'émergence de facteurs parasites tels que la résistance d'accès. En effet, la minituarisation du canal s'est accompagnée par une diminution de sa résistance tandis que celle des zones d'accès à la frontière avec le canal est restée constante ou a augmenté.
L'objectif de cette thèse a été de mettre en place une méthodologie de caractérisation électrique prenant en compte cette composante parasite logtemps considérée négligeable dan le milieu industriel.
Dans un premier chapitre, le fonctionnement de la technologie CMOS et la spécificité de son adaptation FD-SOI sont d'abord présentées. La deuxième moitié du chapitre est quant à elle consacrée à l'état de l'art de la caractérisation électrique et de leur position vis à vis de la resistance d'accès.
Le secon chapitre présente une nouvelle méthose d'extraction des composantes parasites résistives et capacitives à l'aide de transistors de longeurs proches. Les résultats obtenus sont ensuite comparés aux modèles existants.
De ces derniers , un nouveau modèle plus physiquement petinent est proposé en fin de chapitre.
Le troisième chapitre expose une nouvelle méthode de caractérisation électrique basée sur la fonction Y qui permet une analyse du comportement d'un transistor sur l'ensemble de son régime de fonctionnement . Cette nouvelle méthode est ensuite combinée à celle développée dans le chapitre 2 pour assembler un protocole expérimentale permettant de corriger et d'analyser l'impact des résistances d'accès sur les courbes de courant et les paramètres électriques .
Finalement, le dernier chapitre applique la méthodologie vue dans le chapitre précédent à l'étude du désappariement stochastique des transistors. Les résultats obtenus sont ensuite comparés aux méthodes en vigueur dans les domaines industriel et académique qui présentent chacune meurs avantages et leurs inconvénients . La nouvelle méthode ainsi proposée tente de garder le meilleur de chacune de ces dernières.

 
Membres du jury :
  • Gérard GHIBAUDO - Directeur de these
  • Mireille MOUIS  - Examinateur
  • Francis CALMON - Rapporteur
  • Philippe LORENZINI - Rapporteur

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Partenaires

Thèse préparée dans le laboratoire : CEA -CEA-LETI, sous la direction de GHIBAUDO Gérard, directeur de thèse.

Rédigé par Brigitte Rasolofoniaina

mise à jour le 30 mai 2018

Contact

M.Gérard GHIBAUDO
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