Soutenance de thèse de Mr Alexis POTIE

Jeudi 5 Janvier  2012 à 14h

Résumé de thèse :
Les nanofils semi-conducteurs constituent des briques de bases au potentiel prometteur pour l'amélioration des dispositifs du futur. La variété des matériaux utilisés pourra permettre de nombreuses applications, notamment en tant qu'éléments de dispositifs électromécaniques.
 Les nanofils III-V et II-VI présentent par exemple des propriétés piézoélectriques intéressantes pour ce type de composants. Les matériaux IV-IV, comme les hétérostructures Si/SiGe, pourront permettre la réalisation de capteurs basés sur la modulation du courant induit par des contraintes. Dans le cadre de ces travaux,
nous avons tout d'abord étudié les propriétés mécaniques et piézoélectriques de nanofils de GaN à l'échelle du nanofils unique par AFM. Dans un deuxième temps, la croissance par CVD de nanofils de SiGe a été étudiée en utilisant l'or comme catalyseur. Nous avons étudié l'influence du HCl en phase gazeuse qui permet un contrôle de la croissance de nanofils de SiGe. Nous avons enfin étudié la
croissance de nanofils compatible avec les procédés de la microélectronique : croissance de nanofils de SiGe catalysée par siliciures, et croissances à basse température. Des nanofils hétérostructurés Si/SiGe ont enfin été élaborés.