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Soutenance de thèse de Mr Sylvain BAUDOT

Publié le 25 octobre 2012
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Soutenance 26 octobre 2012 | Plan d'accès
Soutenance de Sylvain BAUDOT pour une thèse de DOCTORAT de l'Université de Grenoble, spécialité Nano Electronique et Nano Technologies intitulée :
Salle M258 de PHELMA / Minatec
3 rue Parvis Louis Néel - GRENOBLE

Elaboration et caractérisation des grilles métalliques pour les technologies CMOS 32/28nm à base de diélectrique haute permittivité

M. Sylvain BAUDOT

M. Sylvain BAUDOT

Vendredi 26 Octobre 2012  à 10h30

Résumé de Thèse:
Cette thèse porte sur l'élaboration et la caractérisation des grilles métalliques en TiN, aluminium et lanthane pour les technologies CMOS gate-first à base d'oxyde high-k HfSiON. L'effet de l'épaisseur et de la composition des dépôts métalliques a été caractérisé sur les paramètres de la technologie 32/28nm. Ces résultats ont été reliés à une variation de travail de sortie au vide du TiN, à des dipôles induits par l'Al et le La à l'interface HfSiON/SiON et à leur diminution aux petites épaisseurs de SiON (roll-off). Nous avons montré que l'aluminium déposé sous forme métallique dans le TiN cause une diminution de son travail de sortie, opposée au faible dipôle positif induit par l'Al. Nous avons évalué l'influence du roll-off pour ces différents métaux et mis en évidence pour la première fois sa forte dépendance avec l'épaisseur de lanthane déposée. Le développement de procédés de dépôt de TiN, Al, La a permis d'accroître les bénéfices de ces matériaux pour la technologie CMOS 32/28nm.
 

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Partenaires

Thèse préparée dans le laboratoire IMEP-LAHC, sous la direction conjointe de M. Gérard GHIBAUDO, M. Charles LEROUX et M. Pierre CAUBET.

mise à jour le 16 février 2015

anglais
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