Soutenance de Mr Cheikh DIOUF

La taille du transistor MOS ne cesse de diminuer pour des questions de performance et de rentabilité de fabrication. L'architecture se complexifie et les méthodologies d'extraction de paramètres doivent être adaptées. 
C'est ainsi que dans un premier temps, cette thèse traite des problématiques liées aux procédés de fabrication du transistor MOS (metal oxide semiconductor) très avancés et de son architecture. Les effets d'un recuit haute pression sous atmosphère hydrogène (HPH2) ou deutérium (HPD2) sont étudiés en détail. Il est aussi question de l'étude des effets d'un canal silicium-germanium et de l'impact d'un oxyde de haute permittivité. Dans les deux cas, l'impact sur les performances du MOS a été élucidé.  Dans un deuxième temps, une méthodologie d'extraction de paramètres électriques appelée la « fonction Y » a été étendue en régime de saturation afin de pouvoir caractériser des MOS avancés dans leur régime d'opération. En outre, La mesure de la charge d'inversion sur des MOS courts et à forte tension de drain a été rendue possible grâce à des mesures en haute fréquence sur une structures deux ports. Cela contribue ainsi à répondre aux besoins actuels en caractérisation électrique du transistor.