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Soutenance de thèse de Renan LETHIECQ

Publié le 16 septembre 2020
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Soutenance 16 septembre 2020 | Plan d'accès
Soutenance de thèse de Renan LETHIECQ,  pour une thèse de DOCTORAT de l' Université de  Grenoble Alpes , spécialité  " NANO ELECTRONIQUE ET NANO TECHNOLOGIES ", intitulée:
IMEP-LAHC / Salle A216 (salle Belledonne)
3 rue Parvis Louis Néel 38016 GRENOBLE Cedex 1

 

Etudes électrothermiques de dispositifs électroniques innovants pour les technologies submicroniques

Renan LETHIECQ

Renan LETHIECQ

Mercredi 16 Septembre 2020 à 10h
Mots-Clés :
Capteur de température,Chauffage in-situ,FD-SOI,OTP,Robustesse électrothermique,Simulation électrothermique

Résumé :
La haute densité d’intégration dans les technologies CMOS avancées, telle que la technologie 28 nm UTBB FD-SOI de STMicroelectronics, conduit à des densités de puissance élevées. Ceci se traduit par des élévations de température locales ou globales pouvant conduire au dysfonctionnement du système, voire à sa destruction par emballement thermique. Dans ce cadre, nous présentons des solutions innovantes pour « l’intégration robuste vis-à-vis de l’activité électrothermique suivant les différents facteurs d’échelle dans le cadre de développement de circuits intégrés ». Ainsi, nous avons étudié, dans un premier temps, les structures à double contacts de source permettant : (i) le chauffage in-situ dans les transistors MOS (élévation de la température jusqu’à plusieurs centaines de degrés kelvin) ; (ii) le rétablissement des performances desdits transistors par recuit local (retour de la tension de seuil d’un MOSFET vers sa valeur typique) ; (iii) la création de points mémoires OTP compacts (utilisation d’un phénomène d’électromigration dans le siliciure) et (iv) l’autorégulation en température de ces transistors (utilisation d’un capteur de température intégré). Dans un deuxième temps, nous avons développé un nouveau capteur de température basse consommation (pente de 1 mV.K-1 pour la tension de sortie et puissance de l’ordre du picowatt) et son intégration dans un circuit avec un transistor permettant la modification du comportement électrothermique du circuit. Tous nos dispositifs électroniques ont été fabriqués sur des démonstrateurs silicium en 28 nm UTBB FD-SOI et mesurés. Pour réaliser nos travaux, nous avons utilisé plusieurs logiciels de simulations électrothermiques. Leur adaptation à nos besoins a constitué un troisième axe de travail.
 
Membres du jury :
  • Philippe GALY - INGENIEUR CHERCHEUR HDR  - ST Microelectronics Crolles : Directeur de thèse
  • Florin UDREA - PROFESSEUR - Université de Cambridge - Royaume -Uni : Rapporteur
  • Françis CALMON - PROFESSEUR DES UNIVERSITES - Université de Lyon : Rapporteur
  • Dominique PLANSON - PROFESSEUR DES UNIVERSITES - Université de Lyon : Examinateur
  • Nathalie LABAT - PROFESSEUR DES UNIVERSITES - Université deBordeaux : Examinateur

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Partenaires

Thèse préparée à ST MICROELECTRONICS de Crolles sous la direction de Philippe GALY, directeur de thèse et Marylin BAWEDIN ,encadrante.

mise à jour le 17 septembre 2020

anglais
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